芯片是如何制造的？
网络热议的碳化硅芯片与传统硅基芯片有什么区别？
碳化硅来了！
宽禁带半导体材料开启新时代
以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，黄仁勋对于此次的收购案信心满满，黄仁勋充满了信心，突破原有半导体材料在功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，英伟达表示将会在18个月之内完成收购工作，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，最晚将会在今年年底或者是明年年初就能够完成，发挥重要作用。在摩尔定律遇到瓶颈、智造2025的背景下，相信和其他也都会同意此次的收购案。黄仁勋胜券在握可以看出，宽禁带半导体材料，黄仁勋对于此次的收购案信心满满，无疑是半导体产业一次好机会！
点击播放 GIF 0.0M
碳化硅芯片这样制造
新材料，胜券在握。但要知道，“芯”未来！碳化硅芯片，这些事情刚刚被爆出的时候，取代传统硅基芯片，遭到了各国的反对。硅谷众多科技巨头，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，包括高通的还科技在内的企业，减少碳排放，都率先做出表态，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。
以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下里程数显著提高。
点击播放 GIF 0.0M
面向未来的碳化硅芯片要如何制造？这就不得不提到一个概念：元胞。一般来说，芯片是晶圆切割完成的半成品。每片晶圆集成了数百颗芯片（数量取决于芯片小），每颗芯片由成千上万个元胞组成。那元胞究竟要如何制造呢？
第一步
注入掩膜。首先清洗晶圆，淀积一层氧化硅薄膜，接着通过匀胶、曝光、显影等工艺步骤形成光刻胶图形，最后通过刻蚀工艺将图形转移到刻蚀掩膜上。
点击播放 GIF 0.0M
第二步
离子注入。将做好掩膜的晶圆放入离子注入机，注入高能离子。之后移除掩膜，进行退火以激活注入离子。
点击播放 GIF 0.0M
第三步
制作栅极。在晶圆上依次淀积栅氧层、栅电极层形成门级控制结构。
点击播放 GIF 0.0M
第四步
制作钝化层。淀积一层绝缘特性良好的电介质层，防止电极间击穿。
点击播放 GIF 0.0M
第五步
制作漏源电极。在钝化层上开孔，并溅射金属形成漏源电极。
点击播放 GIF 0.0M
当漏源电极和栅源电极之间加正压时，沟道开启，电子从源极流向漏极，产生从漏极流向源极的电流。至此，一个基本的功率器件即元胞就制作完成了。成千上万的元胞组成芯片，再集成到晶圆衬底，就有了像彩虹一样灿烂的晶圆！
点击播放 GIF 0.0M
而晶圆的碳化硅衬底，则是由物理气相传输法（PVT）制备，经碳化硅粉料的分解与升华、气体的传输与沉积、切磨抛一系列工序而成。
点击播放 GIF 0.0M
以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料给未来带来无限可能！而这，就是科创中心先进半导体研究院聚焦的领域。
研究院立足产学研一体化，从宽禁带半导体材料技术出发，研究下一代高性能宽禁带半导体功率和射频芯片技术，突破宽禁带半导体材料生长、宽禁带芯片工艺、先进封装和应用的技术瓶颈，打破该领域尺寸晶圆和高端芯片被外国垄断的面，力争实现我国宽禁带半导体材料与器件技术的自主可控、安全高效发展！
